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英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列

近日,英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 單管產品組合,具有650 V阻斷電壓。新款CoolSiC Hybrid產品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點,具備出色的開關速度和更低的開關損耗,特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括:電動車輛充電設施、儲能系統、光伏逆變器、不間斷電源系統 (UPS),以及服務器和電信用開關電源 (SMPS)。

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由于續流SiC肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變情況下,CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。與標準的硅二極管解決方案相比,新產品可降低多達 60% 的 Eon 和30%的Eoff?;蛘?,也可在輸出功率保持不變情況下,提高開關頻率至少40%。較高的開關頻率有助于縮小無源元件的尺寸,進而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT,無需重新設計,便能使每10 kHz開關頻率提升0.1%的效率。

此產品系列可作為純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設計之間的另一種選擇,與純硅設計相比,Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統可靠性。由于SiC肖特基二極管能快速換流,而不會有嚴重的振蕩和寄生導通的風險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引腳的Kelvin Emitter封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter封裝的第四管腳可實現超低電感的柵極驅動控制回路,并降低總開關損耗。 

目前,深圳科士達科技股份有限公司已成功導入650 V CoolSiC? Hybrid IGBT單管在其UPS與組串式光伏逆變器的新平臺設計中,從而提升系統效率,優化系統性能。

深圳科士達科技股份有限公司董事長劉程宇就此表示:“科士達將與英飛凌有長年戰略合作歷程,持續在不間斷電源與太陽能領域提供高可靠性的前沿科技產品,我們將在未來繼續合作,在縱深的基礎上開展更廣泛的合作發展?!?/p>

英飛凌科技副總裁、工業功率控制事業部大中華區負責人于代輝表示:“我們的創新來自于技術進步和客戶的需求。把Hybrid IGBT技術從模塊導入到單管,以滿足客戶對高能效系統的追求,滿足系統設計的靈活性,從而提高客戶的競爭能力?!?/p>

供貨情況

CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延續先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二極管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK? 1B和2B模塊的成功經驗。此分立式產品組合即日起接受訂購。系列包含與半額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT,或與全額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的中等速度S5 IGBT。